6年，国产存储芯片逆袭！技术超过了三星、美光等世界巨头

说起存储芯片，大家肯定会知道三星、美光、SK海力士、铠侠这几大巨头，因为全球不管是DRAM芯片，还是NAND芯片，基本上都是被这几大巨头垄断的。
以往国内的厂商们，需要存储芯片，都要从这几大巨头那去采购，每年花费巨额的外汇，以2021年为例，进口存储芯片的金额超过了1000亿美元。



也正因为如此，所以国内一直在发力存储芯片领域，以期提高自给率，降低对外依赖，建立了好几大存储芯片基地。
其中长江存储就专注于生产NAND芯片，成立于2016年，但直到2017年才推出第一代产品，还是落后的32层堆叠的技术，此时三星、美光等都达到96层的水平了，中间还隔了一个64层，可以说三星、美光等巨头领先至少两代。



这里要稍微解释一下，为何在NAND芯片上，会提到“XX层堆叠”这个名词，不是芯片工艺中最常见的XXnm了。
逻辑芯片等产品，提升芯片性能是通过微缩工艺来实现的，比如7nm、5nm、3nm等，工艺制程越小，技术越先进。
但在NAND领域，则不能这么干，因为研究实验发现，当进入到20nm以下时，单纯的提升NAND芯片的工艺，还可能会导致可靠性大幅度下降，而存储芯片需要稳定可靠。



所以NAND闪存芯片，不能靠平面的这种微缩工艺，而是通过立体方式来实现，即将晶体管上下堆叠在一起，也就有了层数，层数越大，存储密度越高，性能越强，也代表技术越先进。
三星的立体工艺叫做V-NAND ，东芝和闪迪则是 BiCS，而长江存储的叫做Xtacking 技术，这些工艺都是怎么实现立体的堆叠的技术。



从全球的技术情况来看，今年上半年美光发布了232层堆叠的NAND闪存，但其实还没有大规模量产，还只是PPT闪存，而三星、SK海力士等，其232层堆叠的NAND闪存，也没有量产，预计会在2023年实现，也就是说目前世界巨头们最先进的技术，其实还没到232层堆叠。
但是长江存储的232层NAND闪存，却已经大规模量产，用于实际的SSD产品中了。据 TechInsights 的说法，他们拆解了海康威视的 CC700 2TB 的固态硬盘，发现其中使用的就是长江存储的 232 层的 3D NAND闪存，这可是全球第一个，是领先于美光、三星、SK海力士等巨头的。



大家想一想，长江存储才成立6年时间，就逆袭了，实现了对三星、美光等巨头的反超，是不是一件特别值得骄傲的事情？
不过大家也要清醒的认识到，虽然技术上实现了反超，但当前长江存储的产能并不大，按照2021年的数据，长江存储在全球的份额还不到5%，而机构预测2022年份额可能会达到7.5%左右，所以虽然技术反超了，但在产量上还要多努力，才能真正大规模实现国产替代，减少对外进口和依赖啊。

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