2030年芯片晶体管达万亿规模！TSMC制程与封装技术双向推进， 在最近的IEDM会议上，台积电提出了一个包含一万亿晶体管的发展路线图，这与英特尔去年披露的计划相似。这些超大规模芯片将采用先进的封装技术将多个单芯片集成在一起。
2030年，芯片晶体管将达到万亿规模。
在最近的IEDM会议上，台积电提出了一个包含一万亿晶体管的发展路线图，这与英特尔去年披露的计划相似。这些超大规模芯片将采用先进的封装技术将多个单芯片集成在一起。与此同时，
台积电也在努力开发一款拥有2000亿个晶体管的芯片。为了实现这一目标，该公司确认正在开发N2和N2P的2纳米生产节点，并计划在2030年推出1.4纳米的A14制造工艺和1纳米的A10制造工艺。
台积电的发展路线图在IEDM会议上展示了封装技术的前景预测。近年来，由于芯片制造商面临技术和资金挑战，领先技术的研发速度有所放缓。台积电和其他公司面临着同样的挑战。然而，作为全球最大的晶圆代工厂，
台积电有信心在未来五到六年内提高其生产节点的性能、功耗和晶体管密度，并推出2纳米、1.4纳米和1纳米节点。
据台积电称，英伟达拥有800亿个晶体管的GH100是市场上最复杂的单芯片处理器之一，预计拥有1000多亿个晶体管的更复杂的单芯片将很快出现。然而
制造如此巨大的处理器变得越来越复杂和昂贵，因此许多公司选择采用多芯片设计。例如，AMD的Instinct MI300X和英特尔的Ponte Vecchio都是由几十个芯片组成的。
随着芯片设计的日益复杂和集成，台积电需要跟上其代工客户的需求。因此，台积电将继续在工艺和包装技术方面进行创新。更先进的技术可以带来更高的晶体管密度，
而更先进的封装技术可以加速芯片规模的扩大。几年后，我们将看到由超过一万亿个晶体管组成的多芯片解决方案，我们将看到多达2000亿个晶体管的单芯片处理器的出现。
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